感應(yīng)場(chǎng)可以直接或間接對(duì)地造成危害。因?yàn)槿魏螏щ婓w周?chē)即嬖陟o電場(chǎng)。如果ESDS器件進(jìn)入靜電場(chǎng)范圍，就會(huì)因?yàn)楦袘?yīng)而帶電。如果器件在電場(chǎng)區(qū)域內(nèi)接地，電荷轉(zhuǎn)移到地的過(guò)程稱(chēng)為CDM事件。

        2)軟損傷：又稱(chēng)“潛在性緩慢失效”、“多次損傷累積后失效”，約占90%。受到軟損傷的器件，雖然當(dāng)時(shí)各類(lèi)電參數(shù)仍合格，然而其使用壽命卻大大縮短了。含有這些器件的產(chǎn)品或系統(tǒng)，可靠性變差，可能會(huì)在后續(xù)過(guò)程中（直至最終用戶）繼續(xù)遭受ESD軟損傷或其它過(guò)應(yīng)力損傷積累而過(guò)早地失效。

       由于軟損傷是潛在的，運(yùn)用目前的技術(shù)還很難證明或檢測(cè)出來(lái)，特別是器件被裝入整機(jī)產(chǎn)品之后，因此具有更大的危害性。這些產(chǎn)品流入市場(chǎng)后的維護(hù)成本和造成的其它損失，將比在生產(chǎn)中發(fā)生的直接損失要放大幾十甚至上百倍！多數(shù)未采取保護(hù)措施的元器件靜電放電敏感度都是很低，很多在幾百伏的范圍，如MOS單管在100-200V之間，而且這些單管是不能增加保護(hù)電路的；一些電路尤其是CMOS IC采取了靜電保護(hù)設(shè)計(jì)，雖然明顯的提高抗ESD水平，但大多數(shù)也只能達(dá)到2000－4000V，而在實(shí)際環(huán)境中產(chǎn)生的靜電電壓則可能達(dá)到上萬(wàn)伏。
         因此，沒(méi)有防護(hù)的元器件很容易受到靜電損傷。隨著元器件尺寸的越來(lái)減小，這種損傷就會(huì)越來(lái)越多。所以，絕大多數(shù)元器件是靜電敏感器件，需要在制造、運(yùn)輸和使用過(guò)程中采取防靜電保護(hù)措施。列出一些沒(méi)有靜電保護(hù)設(shè)計(jì)器件的靜電放電敏感度。

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